時間:2013-09-12 21:32　來源:正航儀器　作者:網(wǎng)絡(luò)工作組　

試驗目的
高溫試驗的目的是考核高溫對電子元器件的影響，確定電子元器件在高溫條件下工 作和儲存的適應性。
試驗原理
有嚴重缺陷的電子元器件處于非平衡態(tài)，這是一種不穩(wěn)定態(tài)，由非平衡態(tài)向平衡態(tài)的 過渡過程既是誘發(fā)有嚴重缺陷產(chǎn)品失效的過程，也是促使產(chǎn)品從非穩(wěn)定態(tài)向穩(wěn)定態(tài)的過 渡過程。這種過渡一般情況下是物理變化，其速率遵循阿倫尼烏斯公式,隨溫度成指數(shù)增 加。高溫應力的目的是為了縮短這種變化的時間。所以該實驗又可以視為一項穩(wěn)定產(chǎn)品 性能的工藝。
電子元器件在髙溫環(huán)境中，其冷卻條件惡化，散熱困難,將使器件的電參數(shù)發(fā)生明顯 變化或絕緣性能下降。如：在高溫條件下，存在于半導體器件芯片表面及管殼內(nèi)的雜質(zhì) 加速反應，促使沾污嚴重的產(chǎn)品加速退化。此外,高溫條件對芯片的體內(nèi)缺陷、硅氧化層 和鋁膜中的缺陷，以及不良的裝片、鍵合工藝等也有一定的檢驗效果。
試驗設(shè)備
試驗設(shè)備主要有髙溫箱（高溫室)和溫度計。高溫箱或高溫室提供一定的高溫場所 (環(huán)境）;溫度計用于測景和監(jiān)控試驗溫度。還要有測量電性能參數(shù)的電測量系統(tǒng)。
試驗程序和方法
①初始測量：將試驗樣品放置在正常大氣條件下，使之達到溫度穩(wěn)定。然后按有關(guān) 標準規(guī)定對試樣進行電性能、機械性能及外觀檢查。
②試驗：按有關(guān)標準規(guī)定，選定髙溫溫度及加高溫時間,采用下述方法之一進行試
驗。
對帶溫度沖擊的試驗：先將高溫箱溫度調(diào)到規(guī)定值，再將試樣放入箱內(nèi);試驗時間從 箱溫恢復到規(guī)定值時算起。
對不帶溫度沖擊的試驗：先將試樣放入箱內(nèi)，再把箱溫調(diào)到規(guī)定值;試驗時間從箱溫 達到規(guī)定值時算起。
③試驗過程屮是否加負荷：這應按有關(guān)標準規(guī)定進行。
④中間測量：當試樣處于高溫時，按有關(guān)標準規(guī)定對其試樣進行電性能、機械性能 及外觀檢查。
⑤恢復：試驗結(jié)束后，將試樣從箱內(nèi)取出。在正常大氣條件下再恢復1?2小時。
⑥最后測童：按有關(guān)標準規(guī)定，對試樣進行電性能、機械性能及外觀檢查。
例如，半導體集成電路總技術(shù)條件規(guī)定;將一、二類電路分別放在高溫箱中試驗，其一 類產(chǎn)品的試驗溫度為（125土3)eC;二類產(chǎn)品的試驗溫度為(85士2)C;恒溫時間為30分 鐘。在這些條件下測量電參數(shù)，應符合產(chǎn)品標準的規(guī)定。又如，微電路溫度應力范圍為 75°C?400°C,試驗時間為24小時以上。試驗前后被試樣品要在標準試驗環(huán)境中，即溫度 為(25±10)°C、氣壓為86?106kPa的環(huán)境中放置一定時間。多數(shù)的情況下，要求試驗后 在規(guī)定的時間內(nèi)完成終點測試。